jxph022518 发表于 2022-7-7 11:26

新人报道。电力知识帖

1.介质损耗的向量图中,tgδ 表示()(A)阻性电流和容性电流比值(B)阻性电流和总电流比值(C)容性电流和总电流比值(D)总电流与强加的电压比值            (A)2.绝缘试验时,介质损耗tgδ与温度的关系(A)与温度无关(B)随温度升高而增大(C)随温度升高而减小(D)以某一温度为界限,大于该值,随温度升高而增大,小于该值,随温度升高而减少       (B)3.在电压作用下,电介质内部会引起()                               (A)介质损耗(B)电压波动(C)电阻增大(D) 绝缘增强         (A)4.测量介质损耗tgδ的国产电桥应用() (A)QS1(B) QS3(C)QJ23   (D)QJ44                        (A)5.介质损耗因数tgδ现场测试,应在良好的天气进行,试品和环境温度不低于()的条件下进行(A)-5℃(B) 0℃(C)+5℃(D)0℃以上                      (C)6.测量变压器绕组的介损tgδ时,主要用来检查绕组是否() (A)受潮(B)受潮 、老化 (C)断线(D)短路            (B)7.分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2、…tgδn,则并联在一起测得的介损值为这些值中的() (A)最小值 (B)平均值 (C)最大值 (D)介于最大值与最小值之间   (D)8.现场预试中,使用QS1电桥测量tgδ,变压器本体适合什么样的接线(B),变压器的电容型套管适合什么样的接线(A)(A) 正接线      (B)反接线9.当绝缘有缺陷时,tgδ随电压的升高()(A)上升(B) 下降(C) 不变(D).明显变化                        (D)10.一般情况,tgδ试验应在温度范围为()时进行 (A)低于0℃ (B)10~30℃ (C)30~50℃ (D)高于50℃                      (B)11.检修工作人员工作中正常活动范围与35kV带电设备的安全距离为(A)0.35m(B) 0.60m(C)0.90m(D)1.5m                      (B)
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